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一种叔羟基封端的聚硅氧烷的合成方法
编辑:admin 时间:2019-02-21 12:47:09 访问次数:1021
专利名称: | 一种叔羟基封端的聚硅氧烷的合成方法 |
专利类型: | 发明专利,ZL201410083529.4 |
专利授予单位: | 中华人民共和国国家知识产权局 |
专利权人: | 浙江大学 |
发明人: | 曹范宏,李伯耿,张延延 |
授权公告日: | 2016年03月30日 |
专利简介: 本发明公开了一种叔羟基封端的聚硅氧烷的合成方法。用四甲基二硅氧烷作为封端剂,在酸性催化剂下与八甲基环四硅氧烷D4开环聚合,制备得到端氢聚硅氧烷再与不饱和的含有叔羟基的烯醇进行硅氢加成反应,得到叔羟基封端的聚硅氧烷。本发明该产物十分稳定,可以长期存放。在硅氢加成阶段并不需要羟基保护,操作过程简单,易于掌握。制备的聚硅氧烷两端均只含有一个羟基,对于制备线性的嵌段聚合物具有重要影响,以用于聚氨酯、聚酰胺、聚酯等高分子材料的改性。
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